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解説

自動車の電力管理回路に効果的、超低飽和電圧バイポーラ・トランジスタ

オン・セミコンダクター

2017/08/01

資料の紹介

 現在のクルマでは、エアバックなど電気駆動の装置の動作を管理するためのパワースイッチとして、従来の機械式リレーに替わって、小型・軽量な半導体スイッチが使われるようになった。そこで使われる半導体には多くの場合、オン抵抗が低いプレーナー型MOSFETが採用されている。ただし、MOSFETを利用する際には、過度の静電気放電(ESD)による誤動作や破壊から素子を保護する回路の負荷など、システムコストを押し上げる要因となる工夫が必要だった。クルマに搭載する電気部品に向けられるコスト削減の要求は常に厳しい。MOSFETと同等の優れた性能を持ちながら、同時にシステムコストを最小化できる技術が求められている。

 オン・セミコンダクターの低飽和電圧(VCE(sat))バイポーラトランジスター(BJT)は、こうした要求に応える魅力的な技術である。同社製の低VCE(sat)BJTの中には、1A流した時の飽和電圧が50mVを下回る製品も用意されている。これを順方向の抵抗値に換算すると50mΩとなり、MOSFETの代替品として十分な性能を持っていると言える。さらに、直列ダイオードが不要、ESD耐性が高いといった特徴も備えており、MOSFETを利用する場合よりも回路の構成部品数が少なくて済み、システムコストを低減できる。

 本資料では、低VCE(sat)BJTの特徴と基板設計時の留意点、主要な車載アプリケーションで活用したときのメリットを解説している。車載パワースイッチのシステムコストのさらなる削減を追求している技術者は、ぜひとも目を通しておきたい資料である。

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